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首页 全部分类 IRF8327STRPBF vs IRF6721STRPBF

IRF8327STRPBF备选型号: IRF6721STRPBF

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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IRF8327STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A SQ
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    8
    SILICON
    14A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.3m Ω @ 14A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1430pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    5.3 ns
    60A
    20V
    14A
    0.0073Ohm
    30V
    110A
    62 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6721STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    4
    SILICON
    14A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.3m Ω @ 14A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1430pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    5.3 ns
    14A
    20V
    -
    0.0073Ohm
    30V
    -
    62 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
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IRF6721STRPBF IRF6721STRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SQ MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 对比