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首页 全部分类 IRF840B vs FDP10N60NZ

IRF840B备选型号: FDP10N60NZ

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  • 栅源电压
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    IRF840B
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    800mOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    134W
    N-Channel
    800mOhm @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    53nC @ 10V
    65ns
    500V
    ±30V
    75 ns
    8A
    30V
    500V
    500V
    1.8nF
    650mOhm
    800 mΩ
    4 V
    10.67mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP10N60NZ
    ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 10A, 750mO, TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    185W
    N-Channel
    750m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    1475pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    -
    ±25V
    50 ns
    10A
    25V
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    4.9mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    1.8g
    SILICON
    UniFET-II™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    增强型MOSFET
    25 ns
    SWITCHING
    3V
    TO-220AB
    0.75Ohm
    40A
    550 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    无
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