IRF840B备选型号: STP9NK50Z

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  • 安装类型
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    800mOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    134W
    N-Channel
    800mOhm @ 4A, 10V
    4V @ 250μA
    1800pF @ 25V
    53nC @ 10V
    65ns
    500V
    ±30V
    75 ns
    8A
    30V
    500V
    500V
    1.8nF
    650mOhm
    800 mΩ
    4 V
    10.67mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    7.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    850mOhm
    -
    -
    Single
    110W
    N-Channel
    850m Ω @ 3.6A, 10V
    4.5V @ 100μA
    910pF @ 25V
    32nC @ 10V
    20ns
    -
    ±30V
    22 ns
    7.2A
    30V
    500V
    -
    -
    -
    -
    -
    4.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    SILICON
    SuperMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    500V
    7.2A
    STP9N
    3
    增强型MOSFET
    17 ns
    SWITCHING
    3.75V
    TO-220AB
    28.8A
    9.15mm
    10.4mm
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