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首页 全部分类 IRF8714TRPBF vs IRF8714PBF

IRF8714TRPBF备选型号: IRF8714PBF

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF8714TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    8.7MOhm
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    ±20V
    5 ns
    14A
    20V
    30V
    65 mJ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8714PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
    14 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    8.7MOhm
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    ±20V
    5 ns
    14A
    20V
    30V
    65 mJ
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    Matte Tin (Sn)
    1.8V
    30V
    21 ns
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