IRF8721PBF备选型号: IRF7805ZPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 操作模式
- 晶体管应用
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC39 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)814A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)EAR998.5MOhmSingle2.5W8.2 nsN-Channel8.5m Ω @ 14A, 10V2.35V @ 25μA1040pF @ 15V12nC @ 4.5V11ns±20V7 ns14A2.35V20V30V21 ns2.35 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)816A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2005Discontinued1 (Unlimited)--Single2.5W11 nsN-Channel6.8m Ω @ 16A, 10V2.25V @ 250μA2080pF @ 15V27nC @ 4.5V10ns±20V3.7 ns16A2.25V20V30V--1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICON830VDUAL鸥翼16A增强型MOSFETSWITCHING
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8817NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
| FDS6670A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | 对比 | |
![]() | IRF7805ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |



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