IRF8721TRPBF备选型号: IRF7805ZTRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON14A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007e3活跃1 (Unlimited)8EAR998.5MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W8.2 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 14A, 10V2.35V @ 25μA1040pF @ 15V12nC @ 4.5V11ns±20V7 ns14A20V30V2.35 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON16A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005-活跃1 (Unlimited)8EAR996.8MOhm-DUAL鸥翼--SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W11 nsN-Channel-6.8m Ω @ 16A, 10V2.25V @ 250μA2080pF @ 15V27nC @ 4.5V10ns±20V3.7 ns16A20V30V2.25 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Tin30V16AMS-012AA120A72 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | 对比 |
![]() | IRF8721GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |




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