IRF9321TRPBF备选型号: IRF8714TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    7.2MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    21 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    7.2m Ω @ 15A, 10V
    2.4V @ 50μA
    2590pF @ 25V
    98nC @ 10V
    79ns
    30V
    ±20V
    145 ns
    -15A
    -1.8V
    20V
    -30V
    150°C
    -1.8 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    8.7MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.7m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1020pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    9.9ns
    -
    ±20V
    5 ns
    14A
    -
    20V
    30V
    -
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    260
    30
    Single
    65 mJ
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