Infineon Technologies IRF8113GPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6mOhm @ 17.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2910pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 4.5V

上升时间

8.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

17.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

2.91nF

漏源电阻

7.4mOhm

最大rds

5.6 mΩ

栅源电压

2.2 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准