IRF9332TRPBF备选型号: FDS6690A

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 9.8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1270pF @ 25V
    41nC @ 10V
    47ns
    30V
    ±20V
    58 ns
    9.8A
    20V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.5m Ω @ 11A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    16nC @ 5V
    5ns
    -
    ±20V
    9 ns
    11A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    130mg
    yes
    12.5MOhm
    逻辑电平兼容
    30V
    11A
    Single
    1.9V
    30V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无铅
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