IRF9332TRPBF备选型号: SI4410DYTRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
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  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 9.8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1270pF @ 25V
    41nC @ 10V
    47ns
    30V
    ±20V
    58 ns
    9.8A
    20V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2001
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 10A, 10V
    1V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    45nC @ 10V
    7.7ns
    -
    ±20V
    44 ns
    10A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SMD/SMT
    13.5mOhm
    30V
    10A
    Single
    1V
    50A
    30V
    400 mJ
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
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