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首页 全部分类 IRF9362TRPBF vs SI4435DY

IRF9362TRPBF备选型号: SI4435DY

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 双电源电压
  • Infineon Technologies
    IRF9362TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    21MOhm
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF9362PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.2 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21m Ω @ 8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1300pF @ 25V
    39nC @ 10V
    5.9ns
    30V
    53 ns
    -8A
    -1.8V
    20V
    8A
    -30V
    64A
    94 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SI4435DY
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1604pF @ 15V
    24nC @ 5V
    13.5ns
    30V
    25 ns
    -8.8A
    -1.7V
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    -
    -
    -1.7 V
    1.57mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    130mg
    yes
    SMD/SMT
    -30V
    DUAL
    -8.8A
    ±20V
    -30V
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