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首页 全部分类 IRF9388TRPBF vs FDS8876

IRF9388TRPBF备选型号: FDS8876

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 长度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF9388TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    19 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 12A, 20V
    2.4V @ 25μA
    1680pF @ 25V
    52nC @ 10V
    57ns
    30V
    ±25V
    66 ns
    12A
    -1.8V
    25V
    -30V
    96A
    1.4986mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8876
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 12.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1650pF @ 15V
    36nC @ 10V
    34ns
    -
    ±20V
    19 ns
    12.5A
    -
    20V
    30V
    -
    1.5mm
    4mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    130mg
    yes
    8.2MOhm
    快速切换
    30V
    未说明
    12.5A
    未说明
    不合格
    5mm
    无铅
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