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首页 全部分类 IRF9395MTRPBF vs BSZ050N03LSGATMA1

IRF9395MTRPBF备选型号: BSZ050N03LSGATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF9395MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MC
    10
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.1W
    BOTTOM
    R-XBCC-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    19 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7m Ω @ 14A, 10V
    2.4V @ 50μA
    3241pF @ 15V
    64nC @ 10V
    142ns
    30V
    121 ns
    14A
    20V
    75A
    0.007Ohm
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    -
    -
    16A
    20V
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    no
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    无铅
    未说明
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    ±20V
    30V
    70 mJ
    含铅
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