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首页 全部分类 IRF9530NPBF vs FQP13N10L

IRF9530NPBF备选型号: FQP13N10L

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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRF9530NPBF
    Infineon Technologies
    In a Tube of 50, P-Channel MOSFET, 14 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF9530NPBF
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    200mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -100V
    250
    -14A
    30
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    DRAIN
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 8.4A, 10V
    4V @ 250μA
    760pF @ 25V
    58nC @ 10V
    58ns
    100V
    ±20V
    46 ns
    -14A
    -4V
    TO-220AB
    20V
    -100V
    56A
    -100V
    250 mJ
    190 ns
    -4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP13N10L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
    4 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    12.8A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    180mOhm
    快速切换
    100V
    未说明
    12.8A
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    -
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 6.4A, 10V
    2V @ 250μA
    520pF @ 25V
    12nC @ 5V
    220ns
    -
    ±20V
    72 ns
    12.8A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    -
    -
    95 mJ
    -
    -
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    yes
    Tin (Sn)
    不合格
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