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首页 全部分类 IRF9910TRPBF vs IRF7457TRPBF

IRF9910TRPBF备选型号: IRF7457TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 电压
  • 电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF9910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    13.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    20V
    2W
    鸥翼
    10A
    IRF9910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    9.3m Ω @ 12A, 10V
    2.55V @ 250μA
    900pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10A
    20V
    20V
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7457TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    7MOhm
    -
    20V
    -
    -
    15A
    -
    Single
    -
    2.5W
    N-Channel
    -
    7m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    3100pF @ 10V
    42nC @ 4.5V
    15A
    20V
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    1
    20V
    5A
    14 ns
    16ns
    ±20V
    7.5 ns
    3V
    150°C
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