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首页 全部分类 IRF9910TRPBF vs PSMN010-25YLC,115

IRF9910TRPBF备选型号: PSMN010-25YLC,115

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  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • Infineon Technologies
    IRF9910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    13.4MOhm
    Matte Tin (Sn)
    20V
    2W
    鸥翼
    10A
    IRF9910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    9.3m Ω @ 12A, 10V
    2.55V @ 250μA
    900pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10A
    20V
    20V
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PSMN010-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25 V 10.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    39A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    N-Channel
    -
    10.6m Ω @ 10A, 10V
    1.95V @ 1mA
    678pF @ 12V
    11nC @ 10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    not_compliant
    4
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PSMN010-25YLC,115 PSMN010-25YLC,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-100, SOT-669 MOSFET N-CH 25 V 10.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET 对比