IRFB260NPBF备选型号: FDP61N20
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 附加功能
- 电压
- 电流
- MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2001活跃1 (Unlimited)3EAR9940Ohm200V56ASingle增强型MOSFET380WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 34A, 10V4V @ 250μA4220pF @ 25V220nC @ 10V64ns±20V50 ns56A4VTO-220AB20V200V220A200V450 mJ360 ns4 V15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™7 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON61A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013活跃1 (Unlimited)3EAR9941MOhm200V61ASingle增强型MOSFET417W-40 nsN-ChannelSWITCHING41m Ω @ 30.5A, 10V5V @ 250μA3380pF @ 25V75nC @ 10V215ns±30V170 ns6.1A5VTO-220AB30V200V-----9.4mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4.535924ge3yes快速切换200V61A
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP61N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™ | 对比 | |
| FQP46N15 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220 | 对比 |



哦! 它是空的。