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首页 全部分类 IRFB31N20DPBF vs IRFB5620PBF

IRFB31N20DPBF备选型号: IRFB5620PBF

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFB31N20DPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 31A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    82mOhm
    200V
    250
    31A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    82m Ω @ 18A, 10V
    5.5V @ 250μA
    2370pF @ 25V
    107nC @ 10V
    38ns
    ±30V
    10 ns
    31A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    200V
    420 mJ
    300 ns
    5.5 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB5620PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2007
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    通孔
    -
    72.5MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    144W
    -
    8.6 ns
    N-Channel
    -
    72.5mOhm @ 15A, 10V
    5V @ 100μA
    1710pF @ 50V
    38nC @ 10V
    14.6ns
    ±20V
    9.9 ns
    25A
    5V
    -
    20V
    200V
    200V
    -
    -
    5 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-220AB
    175°C
    -55°C
    200V
    1.71nF
    72.5mOhm
    72.5 mΩ
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