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首页 全部分类 IRFB3207PBF vs IRF2907ZPBF

IRFB3207PBF备选型号: IRF2907ZPBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 附加功能
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFB3207PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    75V
    180A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7600pF @ 50V
    260nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    74 ns
    180A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75A
    0.0045Ohm
    75V
    720A
    75V
    4 V
    4.826mm
    4.82mm
    10.6426mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF2907ZPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.5MILLIOHMS; Id 170A; TO-220AB; Pd 300W; -55DE
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    75V
    75A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    7500pF @ 25V
    270nC @ 10V
    140ns
    ±20V
    100 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    75V
    680A
    75V
    4 V
    4.826mm
    9.017mm
    10.668mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.5MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    690 mJ
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