您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFB3307PBF vs IRF1405PBF

IRFB3307PBF备选型号: IRF1405PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRFB3307PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 5 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 250W; gFS 98S
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    6.3MOhm
    75V
    130A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    5150pF @ 50V
    180nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    63 ns
    130A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75A
    75V
    75V
    270 mJ
    4 V
    4.82mm
    10.6426mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1405PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    169A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5.3mOhm
    55V
    169A
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.3m Ω @ 101A, 10V
    4V @ 250μA
    5480pF @ 25V
    260nC @ 10V
    190ns
    ±20V
    110 ns
    169A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75A
    55V
    55V
    560 mJ
    4 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    1
    680A
    130 ns
    175°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 3.5MILLIOHMS; Id 170A; TO-220AB; Pd 300W; -55DE 对比
IRF1405PBF IRF1405PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB 对比