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IRFB3307ZGPBF备选型号: IRFB3306GPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB通孔通孔TO-220-33TO-220AB120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Obsolete1 (Unlimited)5.8MOhm175°C-55°CSingle230W15 nsN-Channel5.8mOhm @ 75A, 10V4V @ 150μA4750pF @ 50V110nC @ 10V64ns75V±20V65 ns120A20V75V4.75nF5.8mOhm5.8 mΩ16.51mm10.668mm4.826mm无符合RoHS标准无铅---------------- MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB通孔通孔TO-220-33-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009不用于新设计1 (Unlimited)---Single230W15 nsN-Channel4.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V120nC @ 10V76ns-±20V77 ns160A20V60V---16.51mm10.668mm4.826mm-ROHS3 Compliant-10 WeeksSILICON3EAR99未说明未说明不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-220AB0.0042Ohm620A4 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | 对比 |
| IRFB3307PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 5 Milliohms; ID 130A; TO-220AB; PD 250W; gFS 98S | 对比 |
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | 对比 |
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