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首页 全部分类 IRFB4019PBF vs IRF6215PBF

IRFB4019PBF备选型号: IRF6215PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRFB4019PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    95MOhm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    80mW
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    AMPLIFIER
    95m Ω @ 10A, 10V
    4.9V @ 50μA
    800pF @ 50V
    20nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    7.8 ns
    17A
    4.9V
    TO-220AB
    20V
    150V
    150V
    96 ns
    175°C
    4.9 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6215PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1998
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    290mOhm
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    860pF @ 25V
    66nC @ 10V
    36ns
    ±20V
    37 ns
    -13A
    -4V
    TO-220AB
    20V
    -150V
    -150V
    240 ns
    -
    -4 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -150V
    -13A
    2.54mm
    150V
    44A
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