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首页 全部分类 IRFB4115PBF vs IRFB4321PBF

IRFB4115PBF备选型号: IRFB4321PBF

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFB4115PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    104A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    镍外哑光锡
    250
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 62A, 10V
    5V @ 250μA
    5270pF @ 50V
    120nC @ 10V
    73ns
    ±20V
    39 ns
    104A
    5V
    TO-220AB
    20V
    150V
    420A
    150V
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4321PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    330mW
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 33A, 10V
    5V @ 250μA
    4460pF @ 50V
    110nC @ 10V
    60ns
    ±30V
    35 ns
    83A
    5V
    TO-220AB
    30V
    150V
    -
    150V
    -
    5 V
    9.02mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150V
    83A
    DRAIN
    75A
    130 ns
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