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首页 全部分类 IRFB4127PBF vs FDP2532

IRFB4127PBF备选型号: FDP2532

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  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFB4127PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    76A Tc
    2008
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    20MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    1
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 250μA
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    76A
    5V
    TO-220AB
    20V
    200V
    200V
    250 mJ
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP2532
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    8A Ta 79A Tc
    2013
    PowerTrench®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    16MOhm
    Tin (Sn)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 33A, 10V
    4V @ 250μA
    5870pF @ 25V
    107nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    79A
    4V
    TO-220AB
    20V
    150V
    -
    400 mJ
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    yes
    150V
    79A
    8A
    105 ns
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