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首页 全部分类 IRFB4127PBF vs IRFB4227PBF

IRFB4127PBF备选型号: IRFB4227PBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFB4127PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    76A Tc
    2008
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    20MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    1
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 250μA
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    76A
    5V
    TO-220AB
    20V
    200V
    200V
    250 mJ
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4227PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    65A Tc
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -40°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    24MOhm
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 46A, 10V
    5V @ 250μA
    4600pF @ 25V
    98nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    31 ns
    65A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    200V
    -
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    260A
    150 ns
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