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首页 全部分类 IRFB4137PBF vs STP52N25M5

IRFB4137PBF备选型号: STP52N25M5

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFB4137PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    69MOhm
    Single
    341W
    18 ns
    N-Channel
    69m Ω @ 24A, 10V
    5V @ 250μA
    5168pF @ 50V
    125nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    20 ns
    38A
    5V
    20V
    300V
    9.02mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP52N25M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 250V 28A TO220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    110W
    -
    N-Channel
    65m Ω @ 14A, 10V
    5V @ 100μA
    1770pF @ 50V
    47nC @ 10V
    18ns
    ±25V
    64 ns
    28A
    -
    25V
    250V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    3
    ULTRA LOW-ON RESISTANCE
    SINGLE
    STP52N
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.065Ohm
    112A
    230 mJ
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