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首页 全部分类 IRFB4227PBF vs FDP61N20

IRFB4227PBF备选型号: FDP61N20

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  • 终端
  • ECCN 代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • Infineon Technologies
    IRFB4227PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    65A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    24MOhm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 46A, 10V
    5V @ 250μA
    4600pF @ 25V
    98nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    31 ns
    65A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    260A
    200V
    150 ns
    175°C
    5 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP61N20
    ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 38.5A; 417W; TO220; UniFET™
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    61A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    41MOhm
    -
    Single
    增强型MOSFET
    417W
    -
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    41m Ω @ 30.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3380pF @ 25V
    75nC @ 10V
    215ns
    ±30V
    170 ns
    6.1A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    4.535924g
    e3
    yes
    快速切换
    200V
    61A
    200V
    61A
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