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首页 全部分类 IRFB4310ZGPBF vs IRFB4110GPBF

IRFB4310ZGPBF备选型号: IRFB4110GPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFB4310ZGPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    250W
    20 ns
    N-Channel
    6mOhm @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6860pF @ 50V
    170nC @ 10V
    60ns
    100V
    ±20V
    57 ns
    120A
    20V
    100V
    6.86nF
    6mOhm
    6 mΩ
    4 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    Unknown
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4110GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    370W
    25 ns
    N-Channel
    4.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    9620pF @ 50V
    210nC @ 10V
    67ns
    -
    ±20V
    88 ns
    180A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    4 V
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    SILICON
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    TO-220AB
    0.0045Ohm
    670A
    无铅
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