IRFB4610PBF备选型号: FDP75N08A

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 反向恢复时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压
  • 电流
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    14mOhm
    100V
    未说明
    73A
    未说明
    不合格
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 100μA
    3550pF @ 50V
    140nC @ 10V
    87ns
    ±20V
    70 ns
    35 ns
    73A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    290A
    100V
    53 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 75A TO-220
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    11MOhm
    75V
    未说明
    75A
    未说明
    不合格
    -
    Single
    增强型MOSFET
    137W
    -
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 37.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4468pF @ 25V
    104nC @ 10V
    212ns
    ±20V
    147 ns
    -
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    快速切换
    75V
    75A
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