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首页 全部分类 IRFB4610PBF vs IRF2807PBF

IRFB4610PBF备选型号: IRF2807PBF

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  • 下降时间（典型值）
  • 反向恢复时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 附加功能
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFB4610PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    14mOhm
    100V
    未说明
    73A
    未说明
    不合格
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 100μA
    3550pF @ 50V
    140nC @ 10V
    87ns
    ±20V
    70 ns
    35 ns
    73A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    290A
    100V
    53 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF2807PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S
    12 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    82A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    13mOhm
    75V
    250
    82A
    30
    -
    2.54mm
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3820pF @ 25V
    160nC @ 10V
    64ns
    ±20V
    48 ns
    -
    82A
    4V
    TO-220AB
    20V
    75V
    280A
    75V
    150 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    e3
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    75A
    无
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