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首页 全部分类 IRFB5620PBF vs IRF3315PBF

IRFB5620PBF备选型号: IRF3315PBF

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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRFB5620PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    通孔
    72.5MOhm
    175°C
    -55°C
    Single
    144W
    8.6 ns
    N-Channel
    72.5mOhm @ 15A, 10V
    5V @ 100μA
    1710pF @ 50V
    38nC @ 10V
    14.6ns
    200V
    ±20V
    9.9 ns
    25A
    5V
    20V
    200V
    200V
    1.71nF
    72.5mOhm
    72.5 mΩ
    5 V
    9.02mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3315PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 21A; TO-220AB; Pd 94W; Vgs /-20V
    14 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1998
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    通孔
    82mOhm
    -
    -
    Single
    136W
    9.6 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    1300pF @ 25V
    95nC @ 10V
    32ns
    -
    ±20V
    38 ns
    27A
    4V
    20V
    150V
    150V
    -
    -
    -
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    150V
    27A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    84A
    260 ns
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