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IRFB5620PBF备选型号: IRF640NPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33TO-220AB25A Tc-55°C~175°C TJTube2007活跃1 (Unlimited)通孔72.5MOhm175°C-55°CSingle144W8.6 nsN-Channel72.5mOhm @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V14.6ns200V±20V9.9 ns25A5V20V200V200V1.71nF72.5mOhm72.5 mΩ5 V9.02mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------------- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33-18A Tc-55°C~175°C TJTube1999活跃1 (Unlimited)通孔150mOhm--Single150W10 nsN-Channel150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1160pF @ 25V67nC @ 10V19ns-±20V5.5 ns18A2V20V200V200V---4 V19.8mm10.668mm4.826mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeSILICONHEXFET®e33EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE200V25018A301增强型MOSFETDRAINSWITCHINGTO-220AB72A247 mJ241 ns175°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3315PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet, Power; N-ch; Vdss 150V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 21A; TO-220AB; Pd 94W; Vgs /-20V | 对比 |
 | FDP2572 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB | 对比 |
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