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首页 全部分类 IRFB61N15DPBF vs FDP2552

IRFB61N15DPBF备选型号: FDP2552

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRFB61N15DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32Ohm
    150V
    60A
    Single
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 36A, 10V
    5.5V @ 250μA
    3470pF @ 25V
    140nC @ 10V
    110ns
    ±30V
    51 ns
    60A
    TO-220AB
    16V
    150V
    250A
    150V
    520 mJ
    5.5 V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP2552
    ON Semiconductor
    MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    5A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32MOhm
    150V
    37A
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    2800pF @ 25V
    51nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    29 ns
    37A
    TO-220AB
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    e3
    yes
    5A
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