IRFB7430GPBF备选型号: AUIRF2804
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 输入电容
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- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N CH 40V 195A TO220AB通孔通孔TO-220-3TO-220AB195A TcTubeHEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)375WN-Channel1.3mOhm @ 100A, 10V3.9V @ 250μA14240pF @ 25V460nC @ 10V40V±20V195A14.24nF1.3 mΩ符合RoHS标准-------------------------
- MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB通孔通孔TO-220-3-195A TcTubeHEXFET®2010活跃1 (Unlimited)-N-Channel2.3m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA6450pF @ 25V240nC @ 10V-±20V195A--ROHS3 Compliant16 Weeks3SILICON-55°C~175°C TJ3EAR99Single增强型MOSFET300WDRAIN13 nsSWITCHING120ns130 ns2VTO-220AB20V270A40V540 mJ12.88mm10.66mm4.82mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF2804 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB | 对比 |
![]() | STP400N4F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE | 对比 |
![]() | IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 40V 195A TO220AB | 对比 |




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