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首页 全部分类 IRFB7440PBF vs FDP8870

IRFB7440PBF备选型号: FDP8870

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFB7440PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 120A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.5MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 100μA
    4730pF @ 25V
    135nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    120A
    3V
    TO-220AB
    20V
    40V
    772A
    24 ns
    3 V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    通孔
    -
    TO-220AB
    3
    -
    1
    -
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    105ns
    -
    156A
    2.5V
    -
    20V
    30V
    -
    -
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    160W
    160A
    30V
    N-CHANNEL
    46 ns
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
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