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IRFB7446PBF备选型号: IRF3709PBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
MOSFET N-CH 40V 120A TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)3EAR99Single增强型MOSFET99WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 70A, 10V3.9V @ 100μA3183pF @ 25V93nC @ 10V34ns±20V23 ns120A3VTO-220AB20V40V492A22 ns3 V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB14 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON90A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2001不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Single增强型MOSFET120WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 15A, 10V3V @ 250μA2672pF @ 16V41nC @ 5V171ns±20V9.2 ns90A3VTO-220AB20V30V--3 V8.763mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅9Ohm30V90A75A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL7833PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | 对比 |
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 40V 120A TO220 | 对比 |
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