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首页 全部分类 IRFB7446PBF vs IRL7833PBF

IRFB7446PBF备选型号: IRL7833PBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFB7446PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 120A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    99W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 70A, 10V
    3.9V @ 100μA
    3183pF @ 25V
    93nC @ 10V
    34ns
    ±20V
    23 ns
    120A
    3V
    TO-220AB
    20V
    40V
    492A
    22 ns
    3 V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7833PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 38A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4170pF @ 15V
    47nC @ 4.5V
    50ns
    ±20V
    6.9 ns
    150A
    2.3V
    TO-220AB
    20V
    30V
    600A
    63 ns
    2.3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3.8MOhm
    30V
    150A
    75A
    560 mJ
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