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IRFB7545PBF备选型号: IRFB7540PBF
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- 零件状态
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- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-336.000006g95A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single125W12 nsN-Channel5.9m Ω @ 57A, 10V3.7V @ 100μA4010pF @ 25V110nC @ 10V72ns60V±20V43 ns95A3.7V20V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-336.000006g110A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single-12 nsN-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns60V±20V56 ns110A3.7V20V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICON3增强型MOSFETSWITCHINGTO-220AB60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP80N06S407AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | 对比 |
| IRFB3507PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB | 对比 |
 | DMTH6005LCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | 对比 |
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