Infineon Technologies IRFB3507PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

97A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

52 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

75V

额定电流

97A

功率耗散

190W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8mOhm @ 58A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3540pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

上升时间

81ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

97A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

输入电容

3.54nF

漏源电阻

7mOhm

最大rds

8.8 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅