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首页 全部分类 IRFBA90N20DPBF vs IRFB4127PBF

IRFBA90N20DPBF备选型号: IRFB4127PBF

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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终端
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • JEDEC-95代码
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRFBA90N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-273AA
    3
    SILICON
    98A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    23Ohm
    雪崩 额定
    200V
    98A
    Single
    增强型MOSFET
    650W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 59A, 10V
    5V @ 250μA
    6080pF @ 25V
    240nC @ 10V
    160ns
    ±30V
    77 ns
    98A
    5V
    30V
    95A
    200V
    200V
    960 mJ
    5 V
    15.0114mm
    10.9982mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4127PBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4127PBF
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    76A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    20MOhm
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 44A, 10V
    5V @ 250μA
    5380pF @ 50V
    150nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    22 ns
    76A
    5V
    20V
    -
    200V
    200V
    250 mJ
    5 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    通孔
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    1
    TO-220AB
    175°C
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