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首页 全部分类 IRFH3702TR2PBF vs IRFH8325TRPBF

IRFH3702TR2PBF备选型号: IRFH8325TRPBF

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  • 操作模式
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • Infineon Technologies
    IRFH3702TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (3x3)
    16A Ta 42A Tc
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7.1MOhm
    150°C
    -55°C
    2.8W
    Single
    2.8W
    9.6 ns
    N-Channel
    7.1mOhm @ 16A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1510pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    15ns
    30V
    5.8 ns
    16A
    20V
    30V
    1.51nF
    26 ns
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
    1.8 V
    939.8μm
    2.9972mm
    2.9972mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8325TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    21A Ta 82A Tc
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    12 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2487pF @ 10V
    32nC @ 10V
    16ns
    -
    7.1 ns
    21A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    0.005Ohm
    94 mJ
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