IRFH3707TRPBF备选型号: BSZ0909NSATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 资历状况
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- INFINEON IRFH3707TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 VNew12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON12A Ta 29A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)3EAR9912.4MOhmDUALS-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.8WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING12.4m Ω @ 12A, 10V2.35V @ 25μA755pF @ 15V8.1nC @ 4.5V10.2ns±20V9.7 ns12mA1.8V20V12A30V96A13 mJ1.8 V950μm3mm3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- Single N-Channel 34 V 12 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-818 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON9A Ta 36A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUALS-PDSO-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN4.5 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1310pF @ 15V17nC @ 10V2.2ns±20V2 ns36A-20V--144A9 mJ------ROHS3 Compliant含铅e3noTin (Sn)无铅not_compliant8不合格无卤素34V30V0.012Ohm34V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN | 对比 |
| NTMFS4945NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL | 对比 | |
![]() | IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET | 对比 |






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