Infineon Technologies BSZ0909NSATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta 36A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

S-PDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 20A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1310pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

2.2ns

漏源电压 (Vdss)

34V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

36A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

144A

DS 击穿电压-最小值

34V

雪崩能量等级（Eas）

9 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅