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首页 全部分类 IRFH4201TRPBF vs IRFH4210TRPBF

IRFH4201TRPBF备选型号: IRFH4210TRPBF

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  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • Infineon Technologies
    IRFH4201TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    5
    SILICON
    49A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    3.5W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.95m Ω @ 50A, 10V
    2.1V @ 150μA
    6100pF @ 13V
    94nC @ 10V
    43ns
    25V
    ±20V
    19 ns
    49A
    1.6V
    20V
    400A
    478 mJ
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4210TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    45A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2015
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Single
    -
    3.6W
    -
    20 ns
    N-Channel
    -
    1.35m Ω @ 50A, 10V
    2.1V @ 100μA
    4812pF @ 13V
    74nC @ 10V
    44ns
    25V
    ±20V
    15 ns
    45A
    1.6V
    20V
    -
    -
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    1.1MOhm
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