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IRFH4251DTRPBF备选型号: IRFH4253DTRPBF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON64A 188A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FASTIRFET™2013不用于新设计1 (Unlimited)8EAR9963WDual增强型MOSFETSOURCE31W 63W2 N-Channel (Dual), SchottkySWITCHING3.2m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 35μA1314pF @ 13V15nC @ 4.5V25V188A1.6V20V45A0.0046Ohm61 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门900μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013不用于新设计1 (Unlimited)-EAR9950WDual--31W 50W2 N-Channel (Dual)-3.2m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 35μA1314pF @ 13V15nC @ 4.5V25V145A1.6V20V35A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门900μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF6898MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET | 对比 |
 | IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 对比 |
| IRFH4253DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN | 对比 |
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