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首页 全部分类 IRFH5020TR2PBF vs IRFH5025TRPBF

IRFH5020TR2PBF备选型号: IRFH5025TRPBF

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  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH5020TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    5.1A Ta
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    55MOhm
    150°C
    -55°C
    3.6W
    Single
    8.3W
    9.3 ns
    N-Channel
    55mOhm @ 7.5A, 10V
    5V @ 150μA
    2290pF @ 100V
    54nC @ 10V
    7.7ns
    200V
    6 ns
    43A
    5V
    20V
    200V
    2.29nF
    69 ns
    55mOhm
    55 mΩ
    5 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5025TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5025TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 250 V, 0.084 ohm, 10 V, 5 VNew
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    3.8A Ta
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    3.6W
    9 ns
    N-Channel
    100m Ω @ 5.7A, 10V
    5V @ 150μA
    2150pF @ 50V
    56nC @ 10V
    6.3ns
    -
    6.1 ns
    32A
    5V
    20V
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    46A
    320 mJ
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