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IRFH5053TRPBF备选型号: IRFH7110TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN5612 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON9.3A Ta 46A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3活跃2 (1 Year)3EAR99Matte Tin (Sn)DUAL无铅26030R-PDSO-N3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.1WDRAIN8.6 nsN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 9.3A, 10V4.9V @ 100μA1510pF @ 50V36nC @ 10V14.6ns±20V9.9 ns9.3mA3.7V20V9.3A100V75A3.7 V939.8μm5.9944mm5mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X615 Weeks表面贴装表面贴装8-TQFN Exposed Pad8SILICON11A Ta 58A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013-Obsolete1 (Unlimited)5EAR99-DUALFLAT--R-PDSO-F5--增强型MOSFET3.6WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING13.5m Ω @ 35A, 10V4V @ 100μA3240pF @ 25V87nC @ 10V23ns±20V18 ns11A3V20V50A-240A3 V1.17mm5.85mm5mm无SVHCROHS3 Compliant-Single100V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS6B14NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
 | IRFR4510TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 100V 56A DPAK | 对比 |
 | IRF6668TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MZ | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE | 对比 |
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