ON Semiconductor NTMFS6B14NT1G
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NTMFS6B14NT1G
1807-NTMFS6B14NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V
--最小包装量--
NTMFS6B14NT1G详情
ON Semiconductor NTMFS6B14NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta 50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 77W Tc
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
9.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
39ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.8 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
1.05mm
长度
6.1mm
宽度
5.1mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS6B14NT1G拓展信息
ON Semiconductor
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