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首页 全部分类 IRFH5104TR2PBF vs IRFH5004TRPBF

IRFH5104TR2PBF备选型号: IRFH5004TRPBF

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFH5104TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    PQFN (5x6)
    24A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.5MOhm
    150°C
    -55°C
    114W
    9.5 ns
    N-Channel
    3.5mOhm @ 50A, 10V
    4V @ 100μA
    3120pF @ 25V
    80nC @ 10V
    15ns
    40V
    ±20V
    10 ns
    24A
    4V
    20V
    40V
    3.12nF
    47 ns
    3.5mOhm
    3.5 mΩ
    4 V
    900μm
    6mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5004TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET,N-Channel,40V,100A,2.6 mOhm, 73 nC Qg,PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    28A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    3.6W
    13 ns
    N-Channel
    2.6m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4490pF @ 20V
    110nC @ 10V
    39ns
    -
    ±20V
    16 ns
    100A
    4V
    20V
    40V
    -
    -
    -
    -
    4 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0026Ohm
    400A
    340 mJ
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