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首页 全部分类 IRFH5206TRPBF vs IRFH5006TRPBF

IRFH5206TRPBF备选型号: IRFH5006TRPBF

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  • 端子位置
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFH5206TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 89A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.7MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.7m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 100μA
    2490pF @ 25V
    60nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    8.2 ns
    89A
    2V
    20V
    60V
    350A
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5006TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    4.1MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 150μA
    4175pF @ 30V
    100nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    12 ns
    100A
    2V
    20V
    60V
    400A
    990.6μm
    6.1468mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2 V
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